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近日，英伟达在CES 2026上推出Rubin AI平台及推理上下文记忆存储平台，进一步驱动存储容量需求增长。与此同时，国内长鑫科技披露招股说明书，拟在科创板上市募资295亿元，标志着我国存储产业进入新的发展阶段。
国泰海通发布研报称，本轮由AI驱动的存储超级大周期的持续性很强，国内长鑫科技IPO招股文件的披露预示着公司离科创板成功上市又进一步，将带动国内存储相关半导体设备、半导体材料公司同步受益。投资方向则可以从以下两方面考虑：①考虑收入来源于存储产业链占比较高的半导体设备/半导体材料公司；②考虑未来业务有望实现从0到1的国产化替代突破的与存储产业链相关性较强的半导体设备/半导体材料公司。
国泰海通主要观点如下：
NVIDIA推理上下文记忆存储平台的引入进一步驱动存储容量的增长
英伟达创始人黄仁勋在CES 2026发表演讲，介绍了英伟达的下一代AI平台Rubin。这是首个采用极致协同设计、集成六款芯片的AI平台，现已全面量产。Rubin平台组件涵盖Rubin GPU、Vera CPU、NVLink 6、Spectrum-X Ethernet Photonics、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU。
黄仁勋重点介绍了AI原生存储平台——NVIDIA推理上下文记忆存储平台。该平台是AI原生的键值（KV）缓存层，可显著提升长上下文推理性能，实现每秒token数提升5倍、单位总拥有成本（TCO）性能提升5倍、能效提升5倍。
存储合约价预计大幅上涨
根据TrendForce最新预测，2026年全球Server市场将迎来成长高峰，带动Enterprise SSD需求，预期将成为NAND Flash最大应用。然而供应商产能有限，采取获利优先与控制出货策略，供给紧缩格局深化，推升Enterprise SSD价格。
预计26Q1一般型DRAM合约价环比增55%-60%，NAND环比增33%-38%。这一价格涨幅反映了市场对存储芯片的旺盛需求。
长鑫科技IPO助力产业发展
2025年12月30日，长鑫科技披露招股说明书以及首轮/第二轮预先审阅问询函的回复。公司是国内规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代。
目前，长鑫科技在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。2022年至2025年上半年，公司购买固定资产和其他长期资产支付的现金分别为354.31亿元、436.58亿元、712.30亿元和241.15亿元，固定资产规模持续扩大。公司本次IPO发行拟募集资金295亿元，若成功上市，预计将进一步扩大资本开支。
风险提示方面，需关注AI应用发展不及预期、CSP云厂的投资回报率不及预期导致资本开支下滑、存储供需变化等因素对行业的影响。
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